本发明公开了一种晶体抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤，准备好待抛光晶体，对待抛晶体的待抛光面进行抛光处理；将抛光完成的晶体放置于清洗液中，通过超声波对其进行清洗；将清洗后的晶体放置于烘干箱中进行烘干；将烘干后的晶体放置于保温箱中，保存1至2小时后，晶体随保温箱空冷至室温取出；在抛光后，通过超声波进行清洗，避免了在清洗时晶体之间相互碰撞，减少了由于碰撞造成晶体表面缺陷或内部裂纹的可能，同时在晶体清洗后，引入了热处理的方法，主动利用退火处理表面缺陷，从而得到更理想的晶体表面。