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专利名称一种晶体生长用温度梯度调节装置
申请日2019-10-30
申请号/专利号CN201911045262.9
专利权人浙江昀丰新材料科技股份有限公司
申请人浙江昀丰新材料科技股份有限公司
发明人/设计人张国华;姜杨斌;汪海波;陈虹;徐永亮;于海群
公告日2019-12-13
公告号CN110565166A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类新材料

摘要

本申请提供了一种晶体生长用温度梯度调节装置,包括旋转接头、连接座和套设有籽晶杆外壳的籽晶杆,通过将水管道和气管道同时设置在籽晶杆的设备上,提供了一种用于晶体生长的可以同时实现水冷气冷温度梯度调节的装置技术,通过控制气体和液体的流量与压力,带走籽晶杆上的热量,使得晶体沿籽晶晶向缓慢生长,在生长过程中,还可以通过改变热场温度,籽晶杆的旋转速度和拉升速度等参数控制晶体的生长速度。本申请提供的晶体生长用温度梯度调节装置,解决了现有技术中单独水冷的籽晶轴结构热场温度难以控制,一旦设计定型,温度梯度不能调整的问题,为晶体生长技术领域提供了技术支持。
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