本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括：沉积腔室本体，上电极和下电极，均设置在沉积腔室本体内部，上电极和下电极用于施加电源，并在上电极和下电极之间形成等离子体；真空腔室阀门，设置在沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封沉积腔室本体；固定载具，固定载具与下电极固连，位于上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中，在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具，从根本上杜绝了污染源，从而避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染，适合大规模生产PECVD薄膜沉积。