本发明属于宝石晶片加工技术领域，具体涉及一种蓝宝石晶片研磨抛光方法。包括以下步骤：对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.001mm以内；研磨阶段:采用粒度为1‑3um的高硬度微粉做为磨料，配合粗磨液，输入至研磨机进行研磨10‑15分钟；粗抛阶段：研磨结束后对所述蓝宝石晶片进行粗抛光；精抛阶段：将粗抛光后的蓝宝石晶片通过薄片状固定装置放置在双面抛光机的下抛光盘上，注入抛光液，所述上抛光盘和下抛光盘对蓝宝石晶片的上表面和下表面同时进行精抛光，其中所述抛光温度为45‑55℃，抛光时间为25‑35min。本发明的方法简单有效，适合工业化生产，所得的蓝宝石晶片的粗糙度低于0.3nm。