本发明提供了一种生长大尺寸碳化硅单晶的方法，包括利用感应线圈对晶体生长室进行加热的步骤，在单晶生长过程中，通过设置旋转机构控制感应线圈旋转，且通过减小感应线圈的匝间距及增加线圈高度与线圈直径的比值，来控制晶体生长室温度场的均匀性。本发明通过优化感应线圈的设置，提高了感应线圈产生磁场的均匀性，可以使晶体生长室四周的温度尽可能均匀，有效地减少晶体四周厚度不均匀的现象，有效地减少料面出现的某一方向上的塌陷，使晶体生长室沿各个方向上被侵蚀的速率一样，增加了这些耗材的使用次数和长晶的稳定性，减少坩埚发热量不均匀，提高生长晶体的均匀性。