本发明提供了一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，属多孔陶瓷材料制备领域，所述方法包括离子渗碳处理、混合、模压成型；采用空心SiO2微珠为原料，经渗碳处理得空心SiC微珠，壳壁表面生成纳米级的穿孔；其中渗碳热处理的温度为720‑980℃，升温速率为5‑20℃/min，保温时间5‑30min；混合中，SiC微珠、SiO2粉、Al2O3粉的质量比为(90‑98):(2‑6):(1‑5)；本发明不添加任何造孔剂、发泡剂或使用冷冻干燥工艺，得到具有极高的孔隙率，孔径结构均匀且有纳米尺寸的二级穿孔的多孔SiC材料，极大地提高了过滤、吸附性能，作为催化剂载体能显著提升催化效能，具有非常大的工业实用价值。