本发明提供了一种回磨方法、衬底晶片以及电子器件，涉及半导体技术领域，回磨方法包括：利用SF6作为刻蚀气体对待回磨物体进行第一等离子蚀刻；利用CH4作为刻蚀气体对所述第一等离子蚀刻后的待回磨物体进行第二等离子蚀刻；对所述第二等离子蚀刻后的待回磨物体进行化学机械抛光。该回磨方法可以缩短加工时间，减少待回磨物体破裂的风险，化学机械抛光时对待回磨物体的移除量少，达到降低成本提高产能的效果。