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专利名称一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移的方法及生长方法
申请日2019-09-30
申请号/专利号CN201910942587.0
专利权人长沙新材料产业研究院有限公司
申请人长沙新材料产业研究院有限公司
发明人/设计人黄翀;彭琎;彭国令
公告日2019-12-13
公告号CN110565164A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类新材料

摘要

本发明涉及制造金刚石领域,尤其涉及一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法及生长方法。一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法,包括步骤:S10、处理衬底,打磨衬底上表面,使所述衬底上表面粗糙化;S20、将籽晶放在所述衬底上,将放了籽晶的衬底加热到第一温度阈值;S30、将加热处理后的衬底和籽晶放入MPCVD设备中,采用密排方式排列籽晶;S40、准备生长金刚石。本发明提供的一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法,在使用过程中能够达到以下效果:1、能够在不对衬底进行额外加工的前提下,有效避免籽晶漂移。2、籽晶采用密排方式排列,间隔的减少,不仅可以避免籽晶漂移,也能在有限面积内放下更多籽晶,同时可以提高籽晶温度均匀性。
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