本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为0.5‑6mm。利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。