本发明涉及碳化硅晶体生长领域，具体而言，提供了一种图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件。该图案化的碳化硅籽晶包括籽晶表面，所述籽晶表面包括至少两个凸起，相邻两个凸起之间的凹槽的横截面积由下向上逐渐变大。该碳化硅籽晶的表面呈特定的凹凸结构，因而采用该籽晶进行碳化硅晶体的生长时，碳化硅原子优先生长于相邻两个凸起之间的凹槽，在该凹槽内生长时，缺陷生长方向由纵向逐渐转变为横向，当碳化硅原子填满该凹槽后，碳化硅原子开始纵向生长，因此横向生长的缺陷将消失，从而使碳化硅晶体的缺陷密度得到有效降低。