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专利名称强场太赫兹自旋发射器及光谱仪
申请日2018-06-05
申请号/专利号CN201820867148.9
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰
公告日2019-03-22
公告号CN208635921U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型实施例提供了一种强场太赫兹自旋发射器及光谱仪,强场太赫兹自旋发射器包括:预设尺寸的铁磁纳米薄膜、第一磁铁和第二磁铁;第一磁铁和第二磁铁均固定于铁磁纳米薄膜所处的平面内,且第一磁铁和第二磁铁设置在一条直线上,第一磁铁的第一极和第二磁铁的第二极相对设置,第一极和第二极的极性相反,铁磁纳米薄膜设置在第一极和第二极之间;预设脉冲宽度、单脉冲能量为预设能量的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜,产生预设频谱宽度、预设辐射场强度的太赫兹脉冲辐射。本实用新型实施例中提供的强场太赫兹自旋发射器,可实现超宽带、强场太赫兹脉冲辐射的产生,并且可避免现有技术中产生强场太赫兹脉冲辐射时的缺陷。
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