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专利名称磁控偏振态的太赫兹波发射器
申请日2018-06-05
申请号/专利号CN201820867162.9
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰
公告日2018-11-30
公告号CN208172415U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型实施例提供了磁控偏振态的太赫兹波发射器,包括飞秒激光器、铁磁纳米薄膜、圆环形样品台和至少两个磁铁;至少两个磁铁均设置于圆环形样品台的圆环形台面上的预设位置上,铁磁纳米薄膜卡设在圆环形样品台的内圆上,铁磁纳米薄膜处于至少两个磁铁产生的磁场内;至少两个磁铁中每一磁铁的一磁极正朝向铁磁纳米薄膜;飞秒激光器输出的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜,产生基于至少两个磁铁控制偏振态的太赫兹波,太赫兹波通过圆环形样品台的内圆射出。通过飞秒激光器产生的脉冲泵浦激光透过铁磁纳米薄膜产生太赫兹波,在铁磁纳米薄膜周围外加磁场来实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制,不同的磁场分布实现不同偏振态的太赫兹的发射。
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