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专利名称一种基于二端子激励测量模式的电压-电流映射构造方法
申请日2013-02-01
申请号/专利号CN201310042104.4
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人曹章;徐立军;孙世杰;黄驰
公告日2015-07-22
公告号CN103149472B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种基于二端子激励测量模式的电压-电流映射的构造方法,针对电学层析成像中具有N个电极的传感器的二端子激励测量模式,给出了二端子激励测量模式和相邻激励测量模式之间的关系,通过计算阻抗矩阵、电流密度矩阵等参数,由所推导出的公式,计算得到唯一且确定的电压-电流映射矩阵,构造出基于二端子激励测量模式的电压-电流映射。本发明给出了基于二端子激励测量模式的电压-电流映射的直接构造方法,该方法简单易行,可应用于电学层析成像领域的直接重建算法中,它给出了电压-电流映射直接的物理意义。
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