本发明属于半导体器件加工技术领域，尤其为一种形成氮化物半导体器件的工艺，针对现有的氮化物半导体器件的抗静电能力弱，很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性的问题，现提出如下方案，该生产工艺包括以下步骤：S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；S2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽。本发明设计合理，在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹了橡胶，有效的避免了电荷在氮化物半导体器件表面的流动，解决了氮化物半导体器件抗静电能力弱的问题，扩展了氮化物半导体器件的适用范围。