本发明提供了一种坩埚，涉及晶体生长装置技术领域。本发明提供的坩埚，其内在在原料区的上方设置有抑流网，抑流网能够抑制坩埚内的从坩埚顶部向坩埚底部流动的气流流向原料区，从而可降低坩埚内气流对底部原料区的冲击，相应的石墨化的细颗粒不会飞扬。采用本发明的坩埚生长碳化硅晶体时，由于坩埚内从坩埚顶部向坩埚底部流动的气流降低，能够防止坩埚内石墨化的原料的飞扬，从而避免了石墨化的原料在生长室内的气相蒸气的对流作用下带到晶体的生长界面，达到了避免石墨化的原料在碳化硅(SiC)晶体中产生碳(C)包裹物，而产生晶体微管缺陷的效果，提高了碳化硅(SiC)晶体的质量、保证了晶体的合格率。