本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；S2、当装料结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至大于硅的熔化温度，使多晶硅和掺杂物熔化。本发明中的薄化单晶硅材料及其载负微纳结构能有效抑制光在硅基材料表面的反射损失，增加光吸收，对进一步提高光基器件的性能具有重要意义，因此，采用薄化单晶硅的方式来制备柔性硅基材料可以满足于传统硅基结构制备工艺相兼容的要求，具有良好电学特性和机械柔性的材料，同时制造工艺成本低，并且阵列之间有着大量的应力释放区，使得转移后的硅条阵列具有良好的抗弯折性能。