本发明公开了一种半导体元件制造方法，具体涉及半导体制造领域，包括以下步骤：步骤一，将石墨舟放在排线机上，排线机把引线导入石墨舟内为下一道装片做准备，然后把焊片倒入吸盘中，调节其气体把吸盘吸好的焊片和芯片依次倒入打好引线的石墨舟，反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于装完片的石墨舟上抽出托板并用托板震动引线使完全落位用垫板轻压引线。本发明通过利用多种酸溶液；步骤二，依次对芯片进行三次化学腐蚀，对芯片P‑N结边缘进行化学腐蚀，改善机械损伤，祛除表面吸附的杂质，降低表面电场，利用化学品将晶片表面加以侵蚀，使P‑N接面呈现正角比例以获得最佳的电性品质，并防止水中的金属离子到达管芯部位形成影响管子的质量。