本发明硅晶圆制造方法及制造装置，首先通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制备薄膜，通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；利用双面研磨装置研磨预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；将第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到硅晶圆。本发明硅晶圆制造方法对硅晶圆表面进行退火处理，使得硅晶圆表面慢慢释放应力，缓慢冷却得到接近平衡状态的稳定组织，从而减少硅晶圆表面的缺陷，减少表面缺陷对晶圆表面的电子元件功能的不良影响。