本发明涉及一种异相导电屏蔽膜的制备方法，包括如下工艺步骤：在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的薄膜上进行真空镀后形成屏蔽基材，其中镀层的材质为铝、铜、镍、银的一种；将5～40％的导电粉体和60～95％的热熔胶溶液放入搅拌器中搅拌，将搅拌器的搅拌速度提升至750～1250r/min，搅拌15～20min，然后降至300～550r/min，搅拌4～8min后停止，得到导电胶黏组合物；在精密涂布线上将导电胶黏组合物涂布在屏蔽基材上，涂布完的产品使用烘道烘干，烘干温度为50～125℃，烘干后的产品在24h内进入冷库储存，存储条件1～5℃；将冷存储后的产品进行取卷，制得异相导电屏蔽膜。本发明的方法操作简单，成本低，且可产生优异的屏蔽效能。