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专利名称制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备
申请日2019-11-21
申请号/专利号CN201911149718.6
专利权人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
发明人/设计人卢贤政;陈麒麟;李时俊;张勇
公告日2020-02-04
公告号CN110747446A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类新能源

摘要

本发明公开了制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其至少包括第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输镀膜载板的传输带(3),第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源,当待镀膜载板依次穿过第一和第二镀膜腔时,所述镀膜源对待镀膜载板双面镀制透明导电氧化物薄膜;本发明解决了离子镀膜和溅射镀膜的缺点,有效解决镀膜粉尘对于TCO薄膜质量及产品效率的影响,尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续生产时、方向由下往上镀膜源上方薄膜积迭所积造成的粉尘而产生缺陷。且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料及不同型式的镀膜源。
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