本发明公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及方法，该方法为击穿第1相硅芯时，先击穿8对硅芯，由于击穿后的电压只需最高击穿电压的1/4，因此将这8对硅芯由4面高压击穿柜维持，另外4面高压击穿柜再去击穿第一相剩下的4对硅芯，12对硅芯击穿后再统一交由功率控制柜控制。在前3相硅芯击穿后，整个还原炉温度上升，剩下的后3相硅芯的击穿电压是前3相硅芯的一半以下，因此用一面高压击穿柜同时击穿2对硅芯，6面高压击穿柜同时工作，击穿12对硅芯，击穿完成后交由控制柜控制。本发明缩短了硅芯的高压维持时间，在可以快速击穿的同时，减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤，将高压击穿柜由传统的12面减少为8面，节省了设备投资。