本发明公开了一种硅片表面的激光SE结构的制作方法，包括：预先设定在硅片表面制作激光SE结构图案的激光移动轨迹；其中，硅片为表面采用管式扩散技术，进行了磷源扩散掺杂的硅片；按照激光移动轨迹，控制照射在硅片表面的激光移动，制备细栅线图案，且控制激光的功率随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离减小而增大，随着激光照射位置和硅片的中心之间的距离增大而减小。本申请中在硅片表面形成SE结构时，采用功率大小变化的激光照射，使得同一条细栅线对应的SE结构的方阻的均匀性增强，进而提高细栅线的导电性能，进而提高硅片的工作性能。本申请还提供了一种硅片表面的激光SE结构的制作装置、设备以及计算机可读存储介质。