本发明公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，包括以下步骤：一）超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；二）放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；三）碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃。本发明同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗，但本发明一方面增加清洗液设计，使其在APM溶液之后使用，可以对单晶硅片的表面有机物进行清理，同时可以对APM溶液清理后残留的微粒再次进行清理，从而提高清洗效果。