本申请公开了一种N型钝化接触晶体硅太阳能电池，除包括硅基体，负电荷薄膜层，减反层，隧穿层，第二掺杂多晶硅层，钝化层，正电极，背电极，还包括设置在负电荷薄膜层和减反层之间的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层与负电荷薄膜层形成叠层钝化层，增强表面钝化效果，使载流子传输由三维传输变为一维传输，从而有效降低硅基体与正电极接触区域的复合，并且正电极为掺有3A族元素的电极，形成选择性发射极结构，进一步减少正电极与硅基体的接触复合，从而提升钝化接触晶体硅太阳能电池的光电转换效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的N型钝化接触晶体硅太阳能电池制备方法。