本申请公开了钝化接触太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的本征多晶硅层；位于本征多晶硅层背离隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离本征多晶硅层的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离扩散层的表面的减反层；位于减反层背离第二钝化层的表面的第二电极。在隧穿层和掺杂多晶硅层之间设有本征多晶硅层，可以提高掺杂多晶硅层沉积速率，还可以减少杂质离子向硅衬底扩散，减少硅衬底复合，从而提高光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。