本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台，对石墨舟进行洗舟工艺加载，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常工艺流程装载硅片，运行镀膜工艺，本发明利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。