本发明公开了一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，通过In/Ga混合金属蒸发源替代常规的单质In和单质Ga金属源，使得In和Ga金属在蒸发前就以特定的比例进行混合，并利用实验方式，获得混合金属液体在高温蒸发时的In/Ga喷射比例预测经验公式，确保In、Ga金属按照我们设计的成分比例在基底表面形成CIGS薄膜，从而实现In/Ga混合源长时间大面积镀膜的稳定性，同时实现CIGS薄膜内In和Ga金属分布的均匀性。