本发明公开了一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，所述方法包括如下步骤：先清洗机台并设定切割高度，再布置线网同时设置运行参数，采用反向走线的方式，对硅锭进行切割加工，当切割高度达到设定高度的30％时，再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工，直至切割完成，取下硅锭。本发明的切割方法通过改变切割过程中不同阶段的金刚线走线方式，有效平衡了送返线比例和金刚线磨损度之间的关系，既保证了送返线之间比例，确保金刚线磨损均匀，又保证了切割的后半程硅锭能够被完全切透，从而有效的控制住了TTV，提升了良品率。