本发明属于园林绿化领域，具体涉及一种孤植树栽种工艺,包括下述步骤：1)抬高地面:以种植土抬高地面30‑60cm；2)环式排盐管设置；3)步骤2)中10cm厚的陶粒层上铺设土工布用于过滤，土工布上铺一层20cm厚隔淋层，隔淋层上铺设无纺布；4)继续回填底部15cm厚基质；5)吊装入坑；6)支持层回填20‑40cm厚，反复踩实；7)沃土回填30‑60cm厚，反复踩实；8)覆盖防盐；最上层覆盖20cm厚粒径5cm松树皮。采用本申请所述的孤植树种植工艺，将植物种植的与孤植树的特殊性结合，得到的孤植树成活率高，利于推广。