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专利名称一种适用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构
申请日2012-05-30
申请号/专利号CN201220247231.9
专利权人南京航空航天大学
申请人南京航空航天大学
发明人/设计人张平则;黄俊;魏东博;缪强;梁文萍;姚正军;徐重
公告日2013-01-23
公告号CN202688420U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型提供的一种可用于大面积表面等离子体处理的新型源极结构,由4~6金属靶材和固定金属靶材的靶托组成,靶材呈格栅状排列,靶材的一端为凸台结构,靶托上有与凸台对应的凹槽。靶材上的凸台和靶托上的凹槽为梯形或燕尾形,两者接触的侧面与水平面的倾斜角为65°~80°。所述凹槽等距离分布在靶托上,凹槽的间距为10~20mm。该新型源极结构在平面源极结构的基础上,增加与其平面相垂直的格栅,每个格栅片之间能够产生空心阴极等离子放电,从而在同样电压条件下,能够获得比传统平面状源极结构更高的等离子体浓度,适用于大面积工件的处理。
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