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专利名称一种准晶改性高阻尼Mg-Si合金的制备方法
申请日2012-05-03
申请号/专利号CN201210134386.6
专利权人华东交通大学
申请人华东交通大学
发明人/设计人万迪庆;刘雅娟
公告日2013-07-31
公告号CN102634709B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明是一种高阻尼镁合金的制备方法,特别是一种通过二十面体准晶改性的高阻尼Mg-Si铸造合金的制备方法。本发明首先制备Mg-1wt.%Si,Mg3Zn6Y1母合金,然后通过熔体混溶方法制备出高阻尼镁合金。本发明的镁合金经过母合金预制,母合金熔体混溶后所得到的合金组织为α-Mg固溶体+Mg2Si相+二十面体准晶相(I-phase),且其组织内部能获得尺寸细小的准晶相和Mg2Si相。本发明通过引入界面阻尼获得高阻尼性能,以及通过组织优化特别是Mg2Si的细化提高合金强度。本发明可进一步推动高阻尼镁合金在航空、航天、交通等众多领域的广泛应用而产生较大的社会效益和经济效益。
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