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专利名称一种新型的蒙脱土纳米复合体及其制备方法
申请日2012-04-25
申请号/专利号CN201210124422.0
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人王小群;杜善义;陈贵勇;
公告日2014-04-02
公告号CN102627285B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种新型的蒙脱土纳米复合体,特别涉及一种由聚醚铵阳离子、Ti4+或/和Sb3+离子和蒙脱土组成的蒙脱土纳米复合体,以及该蒙脱土纳米复合体的制备方法。在该蒙脱土纳米复合体中,聚醚铵阳离子占蒙脱土纳米复合体总量的5wt%~80wt%,Ti4+离子或Sb3+离子或两种离子的总量占蒙脱土纳米复合体总量的0.00001wt%~2wt%。在常压、室温~100℃的温度条件下,用聚醚铵盐、四氯化钛或/和三氯化锑离子插层蒙脱土,得到蒙脱土纳米复合体。这种蒙脱土纳米复合体的制备工艺简单、条件温和,易于工业化生产。
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