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专利名称存储器读取速度调节电路
申请日2019-11-19
申请号/专利号CN201911133050.6
专利权人上海华力微电子有限公司
申请人上海华力微电子有限公司
发明人/设计人洪亮
公告日2020-03-06
公告号CN110867203A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类信息技术

摘要

本发明公开了一种存储器读取速度调节电路,采用读脉冲触发内部标志寄存器置1,并通过存储器读电路反馈的读操作完成脉冲对内部标志寄存器清0的过程确保存储器读电路的读数据操作完成,在规定时间内读操作完成时,内部标志寄存器保持为原值0不变,而当读操作未完成时,内部标志寄存器仍为1,主控制器则把存储器读电路的读取速度配置加快,再次发送粗调操作使能信号重新进行粗调判断。该存储器读取速度调节电路,通过内部标志寄存器值来判断存储器是否在规定时间内完成读操作,作为调节存储器的模拟读电路配置的依据,从而能自适应于不同应用场景下,自动调节存储器的读电路的读数据操作速度,可减少存储的读数据功耗以及提高读数据操作可靠性。
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