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专利名称一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
申请日2019-11-18
申请号/专利号CN201911128957.3
专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人/设计人吕凯;董业民
公告日2020-02-28
公告号CN110854192A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类信息技术

摘要

本申请提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法,该隧穿场效应晶体管包括:双埋氧层结构基板;双埋氧层结构基板从下往上依次至少包括硅衬底、第一埋氧层、硅材料层以及第二埋氧层,硅材料层设有空气腔;源区、沟道区以及漏区;源区、沟道区以及漏区位于第二埋氧层表面,沟道区连接于源区与漏区之间,且源区和沟道区的位置对应空气腔;栅极介质层以及栅极材料层;栅极介质层至少位于沟道区表面,栅极材料层位于栅极介质层表面;源电极、漏电极以及栅电极;源电极形成于源区表面,漏电极形成于漏区表面,栅电极形成于栅极材料层表面;背栅电极;背栅电极形成于所述硅材料层表面,且背栅电极的位置对应漏电极的一侧。
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