本发明公开了一种基于SiCMOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法，该方法首先搭建SiCMOSFET双脉冲测试平台，将叠层母排的待测区段外接于测试平台；在SiCMOSFET的两端并联多组额外电容，利用并联额外电容前后SiCMOSFET关断电压波形中震荡的频率信息，得到多组等效电路模型的谐振角频率，进而计算得到叠层母排的杂散电感和寄生电容，实现叠层母排的杂散参数的提取。本发明利用SiCMOSFET的高开关速度特性，以激发明显的关断电压震荡，相比于传统的间接测量法，减少了人为因素带来的测量偏差；此外，本发明能够测量叠层母排中任意区段的杂散电感与寄生电容，测量具有更高的灵活性与全面性。