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| 专利名称 | 一种基于边缘场检测的二维EIT电极阵列结构优化方法 |
| 申请日 | 2019-12-12 |
| 申请号/专利号 | CN201911292494.4 |
| 专利权人 | 北京航空航天大学 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 发明人/设计人 | 孙江涛;梁小凤;徐立军;田文斌;谢跃东 |
| 公告日 | 2020-02-28 |
| 公告号 | CN110840457A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 航空航天 |
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