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专利名称一种ZnGaO紫外探测器及其制备方法
申请日2019-12-11
申请号/专利号CN201911267432.8
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人/设计人陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉
公告日2020-02-14
公告号CN110797422A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类机械制造

摘要

本发明提供了一种ZnGaO紫外探测器,包括依次复合而成的衬底、锌镓氧材料薄膜、金属叉指电极和铟电极;所述锌镓氧材料薄膜中锌与镓的原子比大于1:2,所述锌镓氧材料薄膜为尖晶石结构。本发明提供的ZnGaO紫外探测器所使用的ZnGaO薄膜的晶相是ZnGa2O4结构,光吸收截止边位于250nm附近,锌和镓的原子比例与传统的1:2相比,镓原子的占比更低,但是材料仍可以维持ZnGa2O4的晶体结构。本发明提供的ZnGaO紫外探测器与传统ZnGa2O4紫外探测器相比,呈现出了更短的响应时间,且暗电流和响应度的参数基本没有变化,为提升ZnGaO紫外探测器的性能参数提供了有效的方法。
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