本发明提供了一种柔性集成式阵列传感器及其制造工艺，其属于柔性传感器技术领域。所述阵列传感器包括硅晶圆和位于硅晶圆上的读出电路层、传感阵列层和聚合物衬底层。所述制造工艺包括：提供一硅晶圆，在该硅晶圆表面制作多个由m*n个传感单元构成的集成式阵列传感器；在各个阵列传感器之间对所述硅晶圆表面进行深槽刻蚀；在所述硅晶圆表面制作减薄支撑，将硅晶圆背面减薄至目标厚度使得各个阵列传感器所处的硅晶圆相互分离；其中，所述深槽的刻蚀深度等于或大于所述硅晶圆减薄后的目标厚度。该制造工艺能够克服现有采用硅基材料制作柔性阵列传感器阵列存在的减薄后芯片易翘曲破裂、机械划片损伤大的技术难点。