本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率，从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑。由于是低温环境，能够将多级次纳米线束阵列碲化锑沉积在如CPU处理器上。本发明方法能够使物理气相沉积制得的碲化锑纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。