本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池器件技术领域。该异质结太阳电池的特点在于：在透明导电膜和第一型非晶硅之间还具有一层第一型非晶碳化硅层，该层膜厚10~50nm；在准单晶硅层和金属膜之间还具有一层透明导电膜，该层膜厚为100~300nm。其制备过程为：利用p（或n）型单晶硅片制备双层多孔硅，H2退火后再先后生长p（或n）型晶体硅层和本征晶体硅层；然后依次对样品表面进行H2处理、制备本征非晶硅层、n（或p）型非晶硅层、n（或p）型非晶碳化硅层，器件制备完后实施层转移。本发明可在获得高质量硅薄膜的同时使硅片得到重复使用；窗口层的导电性和透过率更高；在低温下实现良好的电极接触。