一种碲化镉纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括：将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上；把石英基板放置于样品台(2)上；调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围；对真空室(7)抽真空，从而使真空室(7)内的真空度达到预定值；把石英基板加热至预定温度范围，以调控碲化镉的结晶条件；向真空室(7)中充入氩气，并将氩气压强调节至预定范围，以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度，从而调节沉积速率；施加射频电流，从而调控溅射出来的碲化镉的量，从而调节沉积速率；沉积预定时间。