一种超大功率IC芯片封装件及其生产方法，该封装件包括框架体，框架体上并排设置有六个封装体，框架体由单排六只引线框架铆接而成，引线框架采用防溢料设计的铆接框架，每只引线框架上设置有一个封装体。取由六只引线框架铆接而成的框架体，将引线框架载体与框架体铆接，根据需要在引线框架载体上制得单芯片封装体、双芯片封装体或双芯片堆叠封装体，得到超大功率IC芯片封装件。本发明封装件具有超大功率和较强散热能力，克服了现有大功率半导体器件的不足，结构简单合理，更薄更轻、低成本、绿色环保，具有高性能和高可靠性。可广泛应用于航空航天、火车汽车、通信、计算机、消费电子等国防建设和国民经济建设领域。