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专利名称一种MEMS器件动态微弱电容检测电路
申请日2010-11-29
申请号/专利号CN201010571613.2
专利权人江苏新通达电子科技股份有限公司
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人郭占社;曹乐;樊尚春;李晶
公告日2013-01-30
公告号CN102109556B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种MEMS器件动态微弱电容检测电路,主要应用于电容式MEMS器件中动态微弱电容的变化检测,包括驱动信号发生电路、C/V转换单元、一级采样保持单元、二级采样保持单元和信号处理单元。驱动信号发生电路自激振荡产生稳幅稳频的正弦波信号,为C/V转换单元提供检测激励信号。C/V转换单元将微弱电容变化量转换成电压量,并经过仪表放大器输出可供后续一级采样保持电路处理的正弦波信号。一级采样保持单元对输入的正弦波进行正峰值点检测,当检测到正峰值点时输出信号保持正峰值点电压并持续半个正弦波周期不变,后半个周期则跟随输入信号变化,其输出信号作为二级采样保持单元待检测信号。
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