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专利名称一种V纳米线增强的宽滞后NiTiV形状记忆合金
申请日2018-04-11
申请号/专利号CN201810320090.0
专利权人安徽工业大学
申请人安徽工业大学
发明人/设计人史晓斌;毛虎;杨宏亮;李永涛
公告日2019-07-16
公告号CN108531779B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种V纳米线增强的宽滞后NiTiV形状记忆合金,属于新型金属的生产技术领域。该合金由镍、钛和钒三种原料组成,其中:钒的原子百分比为9~25%,镍和钛原子百分比满足:\|Ni%‑Ti%\|≤2%。该合金是通过熔炼、锻造和拉拔的方法得到的;在熔炼过程中镍钛与钒发生共晶反应,生成尺寸十分细小的片层状β‑V相,片层厚度小于300纳米;而在锻造和拉拔过程中,细小的钒片层继续发生变形,最终形成直径小于50纳米的纳米线。与NiTiNb合金相比,NiTiV具有较小的密度,有利于其应用为航空航天材料;与Nb相比,V的熔点更低,方便熔炼和热处理;相比已有的NiTiV合金,本发明中V含量较高,原子百分比为9~25%,能够更有效的提高合金的相变滞后。
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