一种W-S-C复合膜的制备方法。其特征是采用气体离子源辅助沉积，采用直流磁控溅射沉积金属过渡层，采用中频磁控溅射WS2靶沉积WS2和磁控溅射石墨靶形成DLC获得W-S-C复合膜。本发明的方法可以获得较高的沉积速率，并且清洁环保，对人体安全无害。本发明的方法制备的W-S-C复合膜层硬度达到HV≥350、膜/基结合力≥40N，摩擦系数在0.02~0.15之间，具有良好的抗摩擦磨损性能和表面润滑效果，并提高使用寿命。在航空航天中的高真空、辐射、高温等情况下具有良好的应用前景。本发明的方法清洁环保，对人体无害，工艺简单，可以实现大面积工业化生产。