本发明属于高分子介电材料领域，特别涉及一种聚芳醚腈／碳纳米管抗静电薄膜及其制备方法。本发明要解决的技术问题是提供一种耐高温、高强度、抗静电的聚芳醚腈／碳纳米管薄膜。本发明的聚芳醚腈／碳纳米管抗静电薄膜按重量份计是由９７～１００份聚芳醚腈、０．５～２．５份碳纳米管和０．０３～０．１２份十二烷基苯磺酸钠组成。本发明通过十二烷基苯磺酸钠对碳纳米管进行表面改性，在碳纳米管用量很小的情况下提高聚芳醚腈薄膜的导电性而不破坏聚芳醚腈的机械性能，还可以进一步提高聚芳醚腈薄膜的力学性能。本发明的聚芳醚腈／碳纳米管抗静电薄膜均匀致密，具有优异的电性能、力学性能和热性能，可广泛应用于航空航天、电子器件等领域。