一种ＳｉＣ先驱体法制备金刚石涂层的方法，其特征是它包括以下步骤：①基材处理、②制备ＳｉＣ涂层、③ＳｉＣ涂层处理、④金刚石涂层制备和⑤金刚石涂层后处理，其中后处理必须在真空环境下采用ＣＨ４和Ｈ２混合气体中的还原碳对ＳｉＣ转化成的金刚石涂层填充增密；填充增密用的气体流量比例为ＣＨ４∶Ｈ２＝１∶９８～９９，增密反应时反应室ＣＨ４和Ｈ２混合气体的气压为３～５ｋＰａ，加热的热源温度２２００℃以上，基体温度７８０～８２０℃，填充增密时间不少于３０ｍｉｎ。本发明具有方法简单，成本低，速度快，沉积层的一致性和致密性好的优点。