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专利名称高可靠厚膜混合集成电路键合系统及其制造方法
申请日2009-09-22
申请号/专利号CN200910102792.2
专利权人贵州振华风光半导体有限公司
申请人贵州振华风光半导体有限公司
发明人/设计人苏贵东;杨成刚;周正钟;殷坤文
公告日2011-12-28
公告号CN101673693B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种高可靠厚膜混合集成电路键合系统,其特征在于该键合系统是间接键合的键合系统,即在金键合区表面,先增加一层阻挡层金属薄膜,再增加一层可与硅-铝丝进行高可靠性键合的金属薄膜,形成多层过渡性薄膜,再在其上面进行硅铝丝键合的键合系统。本发明有以下特点:①改善厚膜金导带键合区与硅铝丝的键合性能。②可以在同一金导带键合区上形成局部镍键合区或铝键合区,同时兼容金丝键合、硅铝丝键合。③采用金属掩模定位套准、高真空淀积成膜技术,对厚膜基片无任何损伤作用。应用于以金导带或银导带为基片的所有厚膜混合集成电路,可提高混合集成电路的可靠性,在航空、航天、航海、通讯、工业控制等领域有广阔的应用空间。
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