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专利名称基于MAM电容的分布式MEMS移相器
申请日2009-06-11
申请号/专利号CN200910086370.0
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人陈爱新;李莹;张艳君;吴鹏;孟雪松
公告日2012-07-25
公告号CN101572334B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于MAM电容的分布式MEMS移相器,该MEMS移相器包括有基底、中心导体、氮化硅膜层、MEMS金属桥、A金属片、B金属片、A接地板和B接地板。A金属片与B金属片的结构相同。A接地板与B接地板的结构相同。本发明利用等效电路模式构形得到机械结构,该机械结构是在基底上采用敷铜工艺制作出一定长度、宽度、厚度为1μm~3μm的结构体,本发明的MEMS移相器对MEMS金属桥下拉高度的调节精度要求不高,仅通过对金属片的结构优化即得到一种相移精度容易控制,且机械性能稳定的移相器。
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