本发明公开了一种基于硅硅直接键合的压力传感器，包括一个具有浅槽（８）的硅衬底（１），硅衬底（１）上为单晶硅应力薄膜（２），硅衬底（１）与应力薄膜（２）间为二氧化硅层（３）；在应力薄膜（２）上为四个Ｐ型单晶硅压阻（４），应力薄膜（２）与压阻（４）间为绝缘介质二氧化硅层（７）；压阻（４）之间利用浓硼掺杂硅（９）和金引线（６）形成惠斯通电桥。本发明的压力传感器采用硅硅直接键合技术形成应力薄膜和密封腔，其压阻采用二氧化硅作为绝缘层，工作温度可高达３００℃；结构牢固，性能优良，可以满足汽车、航空航天等领域对高温压力传感器的需求。本发明还涉及所述压力传感器的制造方法。